Instituto de Física da UFRN realiza Workshop sobre Materiais Multifuncionais
O Instituto Internacional de Física (IIF), da Universidade Federal do Rio Grande do Norte (UFRN), realiza até o dia 20 deste mês o workshop "Multiferróicos e Materiais Multifuncionais". O evento reúne especialistas de várias partes do mundo, tanto de universidades quanto da indústria, para discutir questões acerca de materiais relacionados ao campo da ferroeletricidade e magnetismo.
Estão participando do workshop pesquisadores de instituições de países como Brasil, Estados Unidos, Reino Unido, Lituânia, Alemanha, Japão, Irlanda, França, Porto Rico, Suíça e Espanha.
A abertura ocorreu nesta segunda-feira, 9, no Anfiteatro A do Centro de Ciências Exatas e da Terra (CCET), no Campus Central da UFRN. Na ocasião, o professor Sylvio Quezado, vice-diretor do IIF, deu as boas-vindas aos participantes. Em seguida, o professor Igor Lukyanchuk, da Universidade de Picardie, França, ministrou a palestra Multifunctional Materials for Memory Storage Devices ("Materiais Multifuncionais para Dispositivos de Armazenamento de Memória", em tradução livre).
Igor Lukyanchuk é um dos diretores do evento, ao lado do professor José Antônio Eiras, da Universidade Federal de São Carlos (UFSCar). Na palestra de abertura, o físico Lukyanchuk falou sobre a história dos dispositivos de armazenamento de memória, bem como de suas funcionalidades integradas e princípios físicos presentes em cada tipo de material usado pra esse fim.
O professor Igor Lukyanchuk, comentou a importância de o workshop acontecer no País. Segundo ele, "o Brasil tem pesquisas muito bem desenvolvidas, mas não existe muita aplicação ainda dessas pesquisas na indústria brasileira. Sei que há a Zona Franca de Manaus, mas ela é insuficiente para absorver as tecnologias desenvolvidas nas pesquisas acadêmicas", completou.
Até o fim do workshop "Multiferróicos e Materiais Multifuncionais", no dia 20 deste mês, os participantes poderão ver como podem ser aproveitadas as aplicações de propriedades de materiais para desenvolver nanodispositivos.